[发明专利]一种GaN基单芯片白光发光二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 201010599340.2 | 申请日： | 2010-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102097554A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 付贤松;牛萍娟;李晓云;田海涛;张建新;于莉媛;杨广华;高铁成 | 申请（专利权）人： | 天津工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 程毓英 |
| 地址： | 300160 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体照明领域和金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术领域，涉及一种GaN基单芯片白光发光二极管，包括一GaN成核层、一n型GaN层缓冲层、一InGaN插入层、一有源层、一GaN隔离层、一p型欧姆接触层，依次层叠于C面蓝宝石衬底上。本发明同时提供了该种发光二极管的制备方法。本发明的单芯片白光LED，具有无需荧光粉，外延工艺和器件结构都很简单，成本较低，光电转化效率较高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 芯片 白光 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基单芯片白光发光二极管，包括一GaN成核层、一n型GaN层缓冲层、一InGaN插入层、一有源层、一GaN隔离层、一p型欧姆接触层，依次层叠于C面蓝宝石衬底上。
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