[发明专利]金属有机化学气相沉积设备及其腔室组件有效
申请号: | 201010599492.2 | 申请日: | 2010-12-21 |
公开(公告)号: | CN102560431A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 徐亚伟 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/458;C23C16/44 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 张大威 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提出了一种金属有机化学气相沉积设备及其腔室组件。该腔室组件包括:腔室本体,所述腔室本体包括反应腔室,且所述腔室本体还包括用于向所述反应腔室供气的进气通道和用于从所述反应腔室排出气体的排气通道;和设置于所述反应腔室内的第一托盘和第二托盘,且所述第一托盘的晶片承载面与所述第二托盘的晶片承载面相对。本发明实施例通过在反应腔中设置晶片承载面相对的两个托盘,可以极大地提高反应腔容量和气体利用率,从而提高生产效率,降低生产成本。 | ||
搜索关键词: | 金属 有机化学 沉积 设备 及其 组件 | ||
【主权项】:
一种腔室组件,其特征在于,包括:腔室本体,所述腔室本体包括反应腔室,且所述腔室本体还包括用于向所述反应腔室供气的进气通道和用于从所述反应腔室排出气体的排气通道;和设置于所述反应腔室内的第一托盘和第二托盘,且所述第一托盘的晶片承载面与所述第二托盘的晶片承载面相对。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司,未经北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010599492.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:太阳能追踪系统
- 下一篇:一种含氟乳化剂的分离方法
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的