[发明专利]阻变随机存储装置及系统无效
申请号: | 201010599603.X | 申请日: | 2010-12-22 |
公开(公告)号: | CN102569334A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 霍宗亮;刘明 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24;H01L29/861;H01L45/00;H01L27/00;G11C11/56 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种阻变随机存储装置及系统。该阻变随机存储装置通过在正向偏压下降低电子所需跨越的势垒从而提高电子电流,引入异质结的价带偏移形成大的空穴势垒和空穴累积,通过调制电势分布增加电流。上述这种正反馈的存在将有效的提高整流二极管的正向开态电流。 | ||
搜索关键词: | 随机 存储 装置 系统 | ||
【主权项】:
一种阻变随机存储装置,其特征在于,包括互相连接的阻变存储元件和二极管元件;所述二极管元件包括二极管区域,所述二极管区域包括n型区和p型区:所述n型区和p型区组成异质结,该异质结能够利用构成该异质结的材料之间的导带偏移和价带偏移来调整通过该异质结的载流子势垒,从而增加流经所述异质结的正\反向电流密度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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