[发明专利]太赫兹光子片上控制系统及其控制方法有效
| 申请号： | 201010600196.X | 申请日： | 2010-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102176463A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 钟旭 | 申请（专利权）人： | 上海电机学院 |
| 主分类号： | H01L29/00 | 分类号： | H01L29/00;H01L21/02;G02B6/12;G01J1/42 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种太赫兹光子片上控制系统及其控制方法。所述系统包括半导体异质结，所述半导体异质结表面形成有二维电子气；等离激元波导；形成于所述半导体异质结表面的第一源电极、第一漏电极、第一门电极，所述第一源电极、第一漏电极和第一门电极用于形成太赫兹源量子点；形成于所述半导体异质结表面的第二源电极、第二漏电极、第二门电极，所述第二门电极，所述第二源电极、第二漏电极和第二门电极用于形成太赫兹探测量子点。本发明的太赫兹光子片上控制系统利用表面等离激元将太赫兹源、探测、传播和调制元件集成于一块芯片，能进行片上太赫兹光子的操控。 | ||
| 搜索关键词： | 赫兹 光子 控制系统 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种太赫兹光子片上控制系统，其特征在于，包括：半导体异质结，所述半导体异质结表面形成有二维电子气；形成于所述半导体异质结表面的表面等离激元波导，所述表面等离激元波导用于传播表面等离激元太赫兹光子；形成于所述半导体异质结表面且邻近所述表面等离激元波导的第一源电极、第一漏电极、第一门电极，所述第一源电极、第一漏电极和第一门电极用于形成太赫兹源量子点，所述第一源电极、第一漏电极用于输入吉赫兹波源以激发所述太赫兹源量子点产生太赫兹光子，进而与所述表面等离激元波导耦合形成表面等离激元太赫兹光子；形成于所述半导体异质结表面且邻近所述表面等离激元波导的第二源电极、第二漏电极、第二门电极，所述第二门电极，所述第二源电极、第二漏电极和第二门电极用于形成太赫兹探测量子点，所述表面等离激元太赫兹光子激发所述太赫兹探测量子点产生电子‑空穴对，所述第二源电极、第二漏电极用于施加电压，将所述电子‑空穴对分解成自由载流子而形成可测量的电流信号。
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