[发明专利]太赫兹单光子探测器及其探测方法无效
| 申请号： | 201010600399.9 | 申请日： | 2010-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102136520A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 钟旭 | 申请（专利权）人： | 上海电机学院 |
| 主分类号： | H01L31/112 | 分类号： | H01L31/112;G01J11/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种太赫兹单光子探测器及其探测方法。所述太赫兹单光子探测器包括：半导体异质结，所述半导体异质结表面形成有二维电子气；形成于所述半导体异质结表面的探测电极，用于收集太赫兹单光子；第一量子点，所述探测电极收集的太赫兹单光子激发所述第一量子点带单位正电荷；形成于所述半导体异质结表面的单电子测量仪，用于测量所述单电子测量仪的周围静电环境的电荷变化，所述单电子测量仪与所述第一量子点电容式耦合，所述第一量子点带的单位正电荷引起所述单电子测量仪中的电流发生跳变。本发明的太赫兹单光子探测器能探测微弱的太赫兹辐射，并对太赫兹单光子进行计数。 | ||
| 搜索关键词： | 赫兹 光子 探测器 及其 探测 方法 | ||
【主权项】：
一种太赫兹单光子探测器，其特征在于，包括：半导体异质结，所述半导体异质结表面形成有二维电子气；形成于所述半导体异质结表面的探测电极，用于收集太赫兹单光子；第一量子点，所述探测电极收集的太赫兹单光子激发所述第一量子点带单位正电荷；形成于所述半导体异质结表面的单电子测量仪，用于测量所述单电子测量仪的周围静电环境的电荷变化，所述单电子测量仪与所述第一量子点电容式耦合，所述第一量子点带的单位正电荷引起所述单电子测量仪中的电流发生跳变。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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