[发明专利]一种轻质电子封装材料的制备工艺无效
| 申请号： | 201010600470.3 | 申请日： | 2010-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102134650A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 薛烽;刘欢;周健;白晶;孙扬善 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | C22B9/18 | 分类号： | C22B9/18;C22C21/02;C22C28/00;C22F1/043;C22F1/16;H01L23/28 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 汤志武 |
| 地址： | 210096*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种轻质电子封装材料的制备工艺，由铝和硅构成，其中硅的质量百分比含量为30％-80％，其余为铝，将铝和硅混合后置于800℃～1300℃下经真空感应炉熔炼制成自耗电极棒，再装入电渣炉进行电渣熔炼，电渣炉工作电压为20-40V，工作电流为1～10kA，引弧块为纯铝块，引弧渣料为CaF2，熔炼过程中加入经500℃～800℃下保温4～8小时的电渣渣料，电渣渣料的加入量为自耗电极棒质量的3％～4％，所述的电渣渣料由Na3AlF6、NaCl及KCl组成，电渣渣料组份的质量百分数为：20％～30％Na3AlF6、25％～35％NaCl、45％～55％KCl；电渣熔炼后经水冷结晶器快速凝固的铝硅铸锭再在325℃～375℃退火处理3～5小时。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子 封装 材料 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种轻质电子封装材料的制备工艺，其工艺步骤如下：(a)该电子封装材料的成分由铝和硅构成，其中硅的质量百分比含量为30％‑80％，其余为铝，首先将铝和硅混合后置于800℃～1300℃下经真空感应炉熔炼制成自耗电极棒；(b)将自耗电极棒装入电渣炉进行电渣熔炼，电渣炉工作电压为20‑40V，工作电流为1～10kA，引弧块为纯铝块，引弧渣料为CaF2，熔炼过程中加入经500℃～800℃下保温4～8小时的电渣渣料，电渣渣料的加入量为自耗电极棒质量的3％～4％，所述的电渣渣料由Na3AlF6、NaCl及KCl组成，电渣渣料组份的质量百分数为：20％～30％Na3AlF6、25％～35％NaCl、45％～55％KCl；(c)电渣熔炼后经水冷结晶器快速凝固的铝硅铸锭在325℃～375℃退火处理3～5小时后通过机加工即得到成品。
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