[发明专利]一种掺杂氧化镧氧化镝的氮化硅制备工艺无效
申请号: | 201010601242.8 | 申请日: | 2010-12-20 |
公开(公告)号: | CN102531620A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 陈海* | 申请(专利权)人: | 苏州中锆新材料科技有限公司 |
主分类号: | C04B35/584 | 分类号: | C04B35/584;C04B35/63;C04B35/622 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215301 江苏省昆山市昆*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种陶瓷材料技术领域,具体是一种氧化镝氧化镧作为添加剂无压烧结生产高性能氮化硅(Si3N4)陶瓷的方法。其组分及质量百分比含量为:氧化镝3%~7%,氧化镧5%~8%,氮化硅85%~92%。目的在于克服现有技术的不足,提供一种氧化镝氧化镧作为添加剂无压烧结生产高性能氮化硅陶瓷的方法,可广泛用于化工、机械、冶金、航空航天等领域的零部件制备。 | ||
搜索关键词: | 一种 掺杂 氧化 氮化 制备 工艺 | ||
【主权项】:
一种掺杂氧化镧氧化镝的氮化硅制备工艺所涉及的氧化镝氧化镧作为添加剂无压烧结生产的氮化硅陶瓷,组分及质量百分比含量为:氧化镝3%~7%,氧化镧5%~8%,氮化硅85%~92%。所述的氧化镝粒度3~6微米,氧化镧粒度5~7微米,氮化硅粒度0.4~0.7微米。
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