[发明专利]一种薄硅片的弯曲成形方法无效
申请号: | 201010601561.9 | 申请日: | 2010-12-23 |
公开(公告)号: | CN102070119A | 公开(公告)日: | 2011-05-25 |
发明(设计)人: | 吴东江;马广义;郭东明;刘双 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00 |
代理公司: | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人: | 李洪福 |
地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明公开了一种薄硅片的弯曲成形方法,利用Nd:YAG脉冲激光器对薄硅片进行扫描,通过激光与薄硅片材料的热作用为薄硅片弯曲提供动力和温度条件。本发明在激光扫描阶段不需要提供额外的温度环境,弯曲成形主要利用激光与材料的热作用实现硅片的塑性特征,进而通过上下表面不同温度产生的应力差而实现。本发明利用1064nm脉冲激光实现了0.1~0.3mm厚度硅材料的弯曲成形,可以得到30度的弯曲角度,弯曲质量良好;同时操作方便,工艺简单,利于实现自动化。本发明采用的激光弯曲技术属于非接触加工形式,对材料表面没有接触损伤,可以有效避免弯曲过程硅片因受到外力接触而造成的破损。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅片 弯曲 成形 方法 | ||
【主权项】:
一种薄硅片的弯曲成形方法,其特征在于:利用Nd:YAG脉冲激光器输出的波长为1064nm的激光束(3)对薄硅片(5)进行扫描,通过激光束(3)与薄硅片(5)材料的热作用为薄硅片(5)弯曲提供动力和温度条件,具体包括以下步骤:A、选择被扫描长度2~10mm、厚度0.1~0.3mm的薄硅片(5),用去离子水清洗干净;B、将薄硅片(5)安装于预先调整好的工作台上,并利用固定夹具(6)使其一端固定;将Nd:YAG脉冲激光器的脉冲宽度选择在1~10ms之间,通过在线视频系统(1)调整聚焦透镜(2),在确定激光束焦点位置(4)后,移动激光束焦点位置(4)使离焦量f在15~25mm之间;设定激光束(3)的扫描路径(7)的起点位置为距薄硅片(5)一侧外3~5mm处、终点为距薄硅片(5)另一侧外3~5mm;最后调试激光参数,使线能量密度在0.3~1.0J/mm之间,并按照实际需要确定扫描次数;C、按照预先设定好的扫描路径(7),对薄硅片(5)进行扫描;扫描过程中薄硅片(5)发生弯曲,最终弯曲角度的大小取决于扫描次数的多少,扫描次数越多则弯曲角度越大,直到达到弯曲成形的要求。
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