[发明专利]使用热分布结构在半导体装置中的热匹配有效
| 申请号： | 201010601748.9 | 申请日： | 2010-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102136460A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | S·J·高尔;S·H·沃德曼;J-M·恰恩 | 申请（专利权）人： | 英特赛尔美国股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/36 | 分类号： | H01L23/36;H01L23/373;H01L25/00;H01L21/02;H01L21/98;H01L21/48;H01L23/60 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 刘佳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文中所述的实施方案提供芯片，包括基底上的第一装置和基底上的第二装置。芯片还包括热接近第一装置和第二装置的热分布结构，其中热分布结构是热隔离的，并且降低第一装置和第二装置之间的热梯度。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 分布 结构 半导体 装置 中的 匹配 | ||
【主权项】：
一种芯片，包括：基底上的第一装置；所述基底上的第二装置；和热接近所述第一装置和所述第二装置的热分布结构，其中所述热分布结构是热隔离的，并且降低所述第一装置和所述第二装置之间的热梯度。
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