[发明专利]一种半导体材料Si1-X-YCXNY三元化合物薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了新型半导体材料Si1-X-YCXNY三元化合物薄膜的制备方法：清洗热丝，并将其安装在真空室内进行碳化处理；对衬底清洗后装入真空室，对已装入真空室的衬底进行氢处理和碳化处理；制备薄膜：控制热丝温度2000～2200℃，衬底温度800～1000℃，向真空室中通入流量为80～150SCCM的H2，流量为0.5～2.0SCCM的SiH4，流量为1.0～4.0SCCM的CH4，流量为2.0～5.0SCCM的N2，真空室内发生化学反应，在衬底表面形成Si1-X-YCXNY薄膜，反应进行60分钟。本发明解决了均匀热场面积较小，热丝稳定性不足，热丝金属对薄膜有污染，制备的薄膜不均匀以及制备过程中N难于掺入的问题，在提高热场均匀性的同时也延长热丝的寿命。

主权项

一种半导体材料Si1‑X‑YCXNY三元化合物薄膜的制备方法，其特征具体包括如下步骤：1）热丝碳化处理：清洗热丝，并将其安装在真空室内进行碳化处理；2）衬底表面预处理：清洗衬底，并将其装入真空室，对其进行表面氢处理和碳化处理；3）制备薄膜：在真空室条件下，控制热丝温度 2000～2200℃，衬底温度 800～1000℃，向真空室中通入流量为80～150SCCM 的H2，流量为 0.5～2.0SCCM的 SiH4，流量为 1.0～4.0SCCM 的CH4，流量为 2.0～5.0SCCM 的N2，真空室内发生化学反应，在衬底表面形成Si1‑X‑YCXNY薄膜，反应进行60分钟。