[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法无效
| 申请号： | 201010602022.7 | 申请日： | 2010-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102569162A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;王军;宋铭峰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的形成方法，该方法包括：在半导体衬底上依次形成垫氧化物层和氮化物层，并对所述氮化物层、垫氧化物层和半导体衬底刻蚀，形成沟槽；在所述沟槽内壁形成内衬氧化物层，并在所述沟槽中填充氧化物；去除所述氮化物层；形成隔离侧壁层，所述形成的隔离侧壁层位于所述垫氧化物层之上、且环绕所述沟槽；将未被所述隔离侧壁层覆盖的垫氧化物层去除。采用本发明公开的方法能够提高浅沟槽隔离结构的绝缘性能。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种浅沟槽隔离结构的形成方法，该方法包括：在半导体衬底上依次形成垫氧化物层和氮化物层，并对所述氮化物层、垫氧化物层和半导体衬底刻蚀，形成沟槽；在所述沟槽内壁形成内衬氧化物层，并在所述沟槽中填充氧化物；去除所述氮化物层；形成隔离侧壁层，所述形成的隔离侧壁层位于所述垫氧化物层之上、且环绕所述沟槽；将未被所述隔离侧壁层覆盖的垫氧化物层去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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