[发明专利]半导体元件、在其中增加表面掺杂浓度的方法及形成方法无效
| 申请号： | 201010602082.9 | 申请日： | 2010-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN102347351A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 黄玉莲;叶茂荣;蔡俊雄;李宗鸿;林大文;郭紫微 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/265;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;刘文意 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 此揭示提供高表面掺杂浓度的半导体元件、在半导体元件中增加表面掺杂浓度的方法及其形成方法，在一实施例中，形成半导体元件的方法包含提供基底，在基底内形成掺杂区，在掺杂区之上形成应力层，对应力层进行硼掺杂注入，对硼掺杂注入进行退火，以及在硼掺杂注入退火之后，在应力层之上形成硅化物层。本发明的方法可以很容易地与CMOS工艺的流程整合，并且不需要额外复杂的步骤去达到所需的结果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 其中 增加 表面 掺杂 浓度 方法 形成 | ||
【主权项】：
一种形成半导体元件的方法，包括：提供一基底；在该基底内形成一掺杂区；在该掺杂区之上形成一应力层；对该应力层进行一硼掺杂注入；对该硼掺杂注入进行退火；以及在该硼掺杂注入退火之后，在该应力层之上形成一硅化物层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010602082.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高电压产生装置
- 下一篇：树脂密封装置及树脂密封电子部件的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
