[发明专利]P型超结横向双扩散金属氧化物半导体管有效
| 申请号： | 201010602345.6 | 申请日： | 2010-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102097481A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 时龙兴;华国环;朱奎英;李明;钱钦松;孙伟锋;陆生礼 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 汤志武 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种P型超结横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有超结结构及N型体区，超结结构由P型外延层和镶嵌在其中的N型半导体区构成，在N型体区上设有P型源区、N型体接触区及栅氧化层，超结结构上设有P型漏区，超结结构上方且位于P型漏区以外的区域设有第一型场氧化层，栅氧化层上方设有多晶硅栅且多晶硅栅自栅氧化层上方延伸至第一型场氧化层上方，P型源区、N型体接触区、P型漏区、多晶硅栅和第一型场氧化层上方设有第二型场氧化层，P型源区、P型漏区、N型体接触区及多晶硅栅均接有源极金属引线、栅极金属引线和漏极金属引线，且超结结构中的N型半导体区的深度沿从P型源区到P型漏区的方向上线性变小。 | ||
| 搜索关键词： | 型超结 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 | ||
【主权项】：
一种P型超结横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：N型衬底(1)，在N型衬底(1)上设有超结结构及N型体区(2)，超结结构由P型外延层(11)和镶嵌在P型外延层(11)中的N型半导体区(12)构成，在N型体区(2)上方设有P型源区(4)、N型体接触区(5)及栅氧化层(3)，在超结结构的上方设有P型漏区(14)，在超结结构上方，且位于P型漏区(14)以外的区域设有第一型场氧化层(10)，在栅氧化层(3)上方设有多晶硅栅(6)且多晶硅栅(6)自栅氧化层(3)上方延伸至第一型场氧化层(10)上方，在P型源区(4)、N型体接触区(5)、P型漏区(14)、多晶硅栅(6)和第一型场氧化层(10)上方设有第二型场氧化层(8)，P型源区(4)、P型漏区(14)、及多晶硅栅(6)均接有穿通第二型场氧化层(8)的源极金属引线(7)、漏极金属引线(13)和栅极金属引线(9)，其特征在于，超结结构中的N型半导体区(12)的深度沿从P型源区(4)指向P型漏区(14)的方向上线性变小。
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