[发明专利]自对准接触孔刻蚀的方法

摘要

本发明公开了一种自对准接触孔刻蚀的方法，在传统方法的基础上增加了氧化硅侧墙，利用双层侧墙即氮化硅侧墙和氧化硅侧墙来增强自对准接触孔刻蚀工艺的能力，使其能达到孔到多晶硅最小距离缩小到0.02μm。

主权项

一种自对准接触孔刻蚀的方法，其特征是，包括如下步骤：第1步，采用光刻和刻蚀工艺在衬底之上刻蚀出多晶硅栅极，多晶硅栅极之上为第一氮化硅层；第2步，在多晶硅栅极两侧下方的衬底中以离子注入工艺进行轻掺杂漏注入，形成轻掺杂区；第3步，先在硅片上淀积一层第二氮化硅层，再以干法反刻第二氮化硅层，直至第一氮化硅层之上的第二氮化硅层去除，此时在第一氮化硅层和多晶硅栅极的两侧就形成了氮化硅侧墙；第4步，先在硅片上淀积一层第一氧化硅层，再以干法反刻第一氧化硅，直至第一氮化硅层之上的第一氧化硅层去除，此时在氮化硅侧墙之外又形成了氧化硅侧墙；第5步，将需要连接接触孔的多晶硅栅极上方的第一氮化硅层去除，并在该需要连接接触孔的多晶硅栅极之上、以及衬底之上淀积一层第二氧化硅层，第二氧化硅层又称牺牲氧化层；第6步，在氧化硅侧墙的外侧下方的衬底中进行重掺杂源漏注入，形成重掺杂区；第7步，去除牺牲氧化层和氧化硅侧墙；第8步，先在硅片表面淀积一层PSG(磷硅玻璃)层，再以CMP(化学机械研磨)工艺对PSG层研磨平坦化；第9步，先在硅片表面淀积一层第三氧化硅层，第三氧化硅层为未掺杂的氧化硅，再以光刻和刻蚀工艺刻蚀出接触孔。