[发明专利]一种研究钼酸锶纳米片原位生长过程的方法无效
| 申请号： | 201010602527.3 | 申请日： | 2010-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102120617A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 黄在银;郭云霄;王路得;王腾辉 | 申请（专利权）人： | 广西民族大学 |
| 主分类号： | C01G39/00 | 分类号： | C01G39/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 530006 广西壮族自治区*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明采用微量热法对钼酸锶纳米片原位生长过程进行了研究，该方法选用原料非离子表面活性剂CTAB、正丁醇、正庚烷和Na2MoO4及SrCl2水溶液，各组分混合后分别制备成均匀透明的Na2MoO4和SrCl2的微乳液，取Na2MoO4的微乳液1mL装入小玻璃样品池，SrCl2的微乳液1mL装入大玻璃样品池，将小样品池套入大样品池中，再将大样品池放入不锈钢反应池中，最后将不锈钢反应池放入RD496-2000微热量计中，待基线稳定后将小样品池捅破使Na2MoO4和SrCl2微乳液混合，通过微热量计实时记录热电势的变化来获取钼酸锶纳米片生长过程的热动力学信息，与电镜表征技术相结合，从而研究其生长过程的热动力学和生长机理。本发明方法也可广泛用于无机功能材料原位生长过程的研究。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 研究 钼酸 纳米 原位 生长 过程 方法 | ||
【主权项】：
一种研究钼酸锶纳米片原位生长过程的方法，其特征在于该方法是采用高精度、高灵敏度的RD496‑2000量热计对钼酸锶纳米片的原位生长动态实行在线监测，获取钼酸锶纳米片生长过程的热动力学信息，与电镜表征技术相结合，研究其生长过程的热动力学和生长机理。
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