[发明专利]一种高极化度自旋注入与检测结构无效
| 申请号： | 201010602935.9 | 申请日： | 2010-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102136535A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 袁思芃 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/30;H01F10/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高极化度自旋注入与检测结构，包括：一衬底，在该衬底上生长各层外延材料；一缓冲层，该缓冲层用于平滑衬底，使后续的外延结构完整性更好；一重掺杂下电极层，用于做欧姆接触和提供复合发光所需的空穴；一LED结构P区；一多量子阱结构，各量子阱依次生长，距离注入结的距离不同，阱的宽度不同，通过光探测的方法得到注入电流的自旋极化度和空间分辨的自旋迟豫信息；一LED结构N区；一铁磁性半金属薄膜，作为自旋电子流的注入源。利用本发明，不仅可以得到自旋电子流注入极化度，而且能够得到自旋迟豫在空间中的变化信息。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 极化 自旋 注入 检测 结构 | ||
【主权项】：
一种高极化度自旋注入与检测结构，其特征在于，包括：一衬底；一缓冲层，生长在衬底之上，用于平滑衬底；一重掺杂下电极层，生长在缓冲层之上，用于做欧姆接触和提供复合发光所需的空穴；一LED结构P区，生长在重掺杂下电极层之上；一多量子阱结构，该多量子阱结构中各量子阱距离注入结的距离不同，量子阱的宽度不同，用于通过光探测的方法得到注入电流的自旋极化度和空间分辨的自旋迟豫信息；一LED结构N区，生长在多量子阱结构之上；一铁磁性半金属薄膜，生长在LED结构N区之上，作为自旋电子流的注入源。
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