[发明专利]快速退火处理中晶片位置校正方法

摘要

本发明公开了一种快速退火处理中晶片位置校正方法，采用激光束分别探测沿第1、2、3...N控片半径方向的第1点和第2点之间的第1距离、第2距离、第3距离...第N距离，i从1取至N/2，分别判断第i距离与第i+N/2距离之差的绝对值是否小于等于预先设置的阈值D，如果大于阈值D，则确定第i调整方向和第i调整量，根据所确定的调整方向和调整量对机械臂进行调整，采用调整后的机械臂将产品晶片放置于腔室内部的外缘圆环上。采用本发明公开的方法能够提高晶片位置的校正效率。

主权项

一种快速退火处理中晶片位置校正方法，该方法应用于快速退火处理装置中，该装置包括：腔室、热发生器、外缘圆环和机械臂，其中，位于腔室外部的机械臂用于将控片或产品晶片放置于腔室内的外缘圆环之上，外缘圆环用于承载控片或产品晶片并带动其旋转，外边缘圆环的内边缘线被所放置的控片或产品晶片覆盖、外边缘线暴露出来，位于腔室内部的热发生器用于提供高温热源，其特征在于，该方法包括：A、采用机械臂将控片放置于腔室内部的外缘圆环上，控片在外缘圆环的带动下发生旋转，然后采用热发生器对控片进行加热；B、控片半径与控片边缘线的交点记作第1点，半径延长线与外缘圆环的外边缘线的交点记作第2点，选择任一半径作为第1半径，沿控片旋转的相反方向，依次选择与第1半径间隔a度的第2半径、间隔a*2度的第3半径、直至间隔a*(N‑1)度的第N半径，采用激光束分别探测沿第1、2、3、直至第N半径方向的第1点和第2点之间的第1距离、第2距离、第3距离、直至第N距离，其中，N为大于等于4的偶数，a等于360度与N的商；C、设置变量i的初始值为1，判断第i距离与第i+N/2距离之差的绝对值是否小于等于预先设置的阈值D，如果判断结果为是，则直接执行步骤D；否则，如果第i距离大于第i+N/2距离，则确定第i调整方向为沿第i半径朝向外缘圆环的外边缘线，第i调整量为第i距离和第i+N/2距离之差的一半，如果第i距离小于第i+N/2距离，则确定第i调整方向为沿第i+N/2半径朝向外缘圆环的外边缘线，第i调整量为第i+N/2距离和第i距离之差的一半；D、i的值累加1，将累加后的i的值作为更新后的i，如果更新后的i小于等于N/2，则返回执行步骤C；否则，直接执行步骤E；E、按照所述确定的第1调整量、第2调整量、直至第N/2调整量中的任意多项，以及第1调整方向、第2调整方向、直至第N/2调整方向中的任意多项对机械臂进行调整，采用调整后的机械臂将产品晶片放置于腔室内部的外缘圆环上， 产品晶片在外缘圆环的带动下发生旋转，然后采用热发生器对产品晶片进行加热。