[发明专利]一种防止闩锁效应的芯片结构及方法无效
| 申请号： | 201010603955.8 | 申请日： | 2010-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102130124A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 彭秋平;杭晓伟;张祯;江石根;杜坦 | 申请（专利权）人： | 苏州华芯微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L27/02;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京华夏博通专利事务所 11264 | 代理人： | 孙东风 |
| 地址： | 215011 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种防止闩锁效应的芯片结构及方法。该方法为：在芯片的驱动模块与其余模块之间加入nwell少数载流子保护环，使得靠近少数载流子环的衬底浓度减小，并增加衬底电阻，从而防止芯片中发生闩锁效应。进一步的讲，所述nwell少数载流子环接0电位。该芯片结构，主要由驱动模块和包括数模模块在内的其余模块组成，所述驱动模块与其余模块之间加载nwell少数载流子保护环。本发明可在不增加版图面积的前提下，产生良好的抗闩锁效应的效果，并且不会影响芯片的正常工作性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防止 效应 芯片 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种防止闩锁效应的方法，其特征在于，该方法为：在芯片的驱动模块与其余模块之间加入nwell少数载流子保护环，使得靠近少数载流子环的衬底浓度减小，并增加衬底电阻，从而防止芯片中发生闩锁效应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
