[发明专利]集成电路元件的形成方法

摘要

本发明公开了一种集成电路元件的形成方法，根据一实施例提供一种具有基脚形状的铜柱工艺，在凸块下冶金层上采用两道不同光敏性及厚度的光致抗蚀剂膜。在曝光显影工艺后，在第一光致抗蚀剂膜中形成具有实质上垂直的侧壁的第一开口，并在第二光致抗蚀剂层中形成具有倾斜侧壁的第二开口。第二开口的底部直径大于第二开口的顶部直径，且第二开口的底部直径大于第一开口的直径。接着形成导电层于第一开口及第二开口中，之后移除两道光致抗蚀剂膜。本发明在不需额外化学或等离子体工艺的情况下，即可轻易定义基脚形状的尺寸，大幅节省制造成本。

主权项

一种集成电路元件的形成方法，包括：形成一凸块下冶金层于一半导体基板上；形成一光致抗蚀剂结构于该凸块下冶金层上，其中该光致抗蚀剂结构包括一第一光致抗蚀剂膜与位于该第一光致抗蚀剂膜上的一第二光致抗蚀剂膜，且该第一光致抗蚀剂膜的光敏性不同于该第二光致抗蚀剂膜的光敏性；形成一开口于该光致抗蚀剂结构中以露出部分的该凸块下冶金层，其中该开口包括一第一开口位于该第一光致抗蚀剂膜中及一第二开口位于该第二光致抗蚀剂膜中，且该第一开口的底部直径大于该第一开口的顶部直径；形成一导电层于该光致抗蚀剂结构的该开口中，且该导电层电性连接至露出的部分该凸块下冶金层；以及移除该光致抗蚀剂结构，其中该导电层形成一导电柱。