[发明专利]异质结构场效应二极管及制造方法无效
| 申请号： | 201010604085.6 | 申请日： | 2010-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102097492A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 刘扬;邓庆煜;姚尧 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/417;H01L21/329 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 禹小明 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种异质结构场效应二极管及制造方法，该结构包括衬底及依次设于衬底上的绝缘高阻半导体与宽禁带异质结构势垒层，绝缘高阻半导体与宽禁带异质结构势垒层构成二维电子气的异质结构外延层，宽禁带异质结构势垒层及绝缘高阻半导体的顶部通过刻蚀形成一隔离台面，隔离台面上形成有绝缘介质层，绝缘介质层上分别形成有与宽禁带异质结构势垒层接触的阴极电极及阳极电极，其中，阳极电极一部分位于宽禁带异质结构势垒层上，另一部分位于绝缘介质层之上形成具有Schottky-MIS双结构电极的二极管阳极，且阳极电极为低功函数金属制得。本发明实现低正向导通电压、低反向漏电流、高反向阻断电压的特性。特别适用于功率型GaN基异质结构场效应二极管的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 场效应 二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种异质结构场效应二极管，其特征在于，包括衬底（1）及依次设于衬底（1）上的绝缘高阻半导体（2）与宽禁带异质结构势垒层（3），绝缘高阻半导体（2）与宽禁带异质结构势垒层（3）构成二维电子气的异质结构外延层，宽禁带异质结构势垒层（3）及绝缘高阻半导体（2）的顶部通过刻蚀形成一隔离台面，隔离台面上形成有绝缘介质层（6），绝缘介质层（6）上分别形成有与宽禁带异质结构势垒层（3）接触的阴极电极（4）及阳极电极（5），其中，阳极电极（5）一部分位于宽禁带异质结构势垒层（3）上，另一部分位于绝缘介质层（6）之上形成具有Schottky‑MIS双结构电极的二极管阳极，且阳极电极（5）为低功函数金属制得。
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