[发明专利]一种金属/合金纳米颗粒-半导体纳米线或纳米棒的复合纳米体系的制备方法无效
| 申请号： | 201010604117.2 | 申请日： | 2010-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102051689A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 孙旭辉;彭明发;李述汤 | 申请（专利权）人： | 苏州方昇光电装备技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/00 | 分类号： | C30B33/00;C30B29/62;C23C18/31;B22F9/24;B22F1/02 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 陆明耀;陈忠辉 |
| 地址： | 215125 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种金属/合金纳米颗粒-半导体纳米线或纳米棒的复合纳米体系的制备方法，用氢氟酸水溶液去除硅、锗纳米线或纳米棒表面的一层原位氧化物，形成氢终止的硅、锗纳米线或纳米棒，后与单一金属离子或多种金属离子发生氧化还原反应，在硅、锗纳米线或纳米棒表面形成金属纳米颗粒或合金纳米颗粒均匀包覆的体系，即金属/合金纳米颗粒-半导体纳米线或纳米棒的复合体系。本发明方法制备的复合纳米体系在高效催化、表面增强拉曼检测等领域中具有很好的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 合金 纳米 颗粒 半导体 复合 体系 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金属/合金纳米颗粒‑半导体纳米线或纳米棒的复合纳米体系的制备方法，包括下述步骤：步骤一：将合成的半导体纳米线或纳米棒浸入氢氟酸水溶液，得到氢终止的半导体纳米线或纳米棒；步骤二：将步骤一得到的表面氢终止的半导体纳米线或纳米棒用去离子水清洗；步骤三：将经步骤二清洗后的半导体纳米线或纳米棒置于金属盐水溶液中反应；步骤四：将步骤三所得的产物用去离子水清洗，然后用氮气吹干，得到金属/合金纳米颗粒‑半导体纳米线或纳米棒的复合纳米体系。
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