[发明专利]用高质量的氧化物填充半导体器件大型深沟槽的方法

摘要

提出了一种制备带有填充氧化物的大型深沟槽部分的半导体器件结构的方法，其沟槽尺寸为TCS，沟槽深度为TCD；块状半导体层，其厚度为BSLT＞TCD。在块状半导体层上方设计一个大型沟槽顶部区域，其几何形状与填充氧化物的大型深沟槽相同。将大型沟槽顶部区域分成散置的、互补的临时半导体台面区ITA-A以及临时垂直沟槽区ITA-B。通过除去对应ITA-B的块状半导体材料，在顶部块状半导体层表面内，创建多个深度为TCD的临时的垂直沟槽。将对应ITA-A的剩余的块状半导体材料转化成氧化物。如果转化后的ITA-A之间仍然有剩余空间，就沉积氧化物填满剩余空间。更重要的是，要确保所有分区的ITA-A和ITA-B的几何形状都应设计得简易并且小巧，以便于快速高效地进行氧化物转化和氧化物填充。

主权项

一种制备带有填充氧化物的大型深沟槽部分的半导体器件结构的方法，其特征在于，其沟槽尺寸为TCS，沟槽深度为TCD，该方法包括：a)制备一个块状半导体层，其厚度BSLT大于沟槽深度TCD；在块状半导体层上方设计一个大型沟槽顶部区域，其几何形状与所述的填充氧化物的大型深沟槽相同；b)将大型沟槽顶部区域按预设的几何形状分成多个散置的、互补的临时半导体台面区以及临时垂直沟槽区；c)从块状半导体层顶部表面在临时垂直沟槽区开掘多个临时的垂直沟槽，直到深度达到沟槽深度TCD，从而除去对应临时垂直沟槽区的块状半导体材料；并且d)将对应临时半导体台面区的剩余的块状半导体材料转化成氧化物；并且如果转化后的临时半导体台面区之间仍然有剩余空间，就沉积氧化物填满所述的剩余空间。