[发明专利]一种用于模拟集成电路不同电压域的无静态功耗电路装置无效

专利信息
申请号: 201010604631.6 申请日: 2010-12-24
公开(公告)号: CN102156502A 公开(公告)日: 2011-08-17
发明(设计)人: 黄胜明;张怀东 申请(专利权)人: 无锡更芯集成科技有限公司
主分类号: G05F1/625 分类号: G05F1/625
代理公司: 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 32227 代理人: 顾朝瑞
地址: 214028 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种用于模拟集成电路不同电压域的无静态功耗电路装置,其可以让使能电路达到零静态功耗。其包括4个连接端口:电源Vdd,地Vss,输入Ven_in和输出Ven_out;M1~M6是PMOS晶体管,M7和M8是NMOS晶体管,INV1~INV4是反相器;Ven_in连接电阻R1和反相器INV1的输入端;INV1的电源连接到M2的漏极;INV1的输出端连接到M8的栅极和反相器INV2的输入端;INV2的电源连接到R1的另一端;INV2的输出端连接到M7的栅极和M1的漏极;M1的源极和M2的漏极以及电容Cbs的一端连接;M2的栅极和M3的漏极、M3和M4的栅极以及电容Cst的一端连接;M4和M5的漏极、M6的栅极以及M7的漏极连接;M5的栅极、M6和M8的漏极以及反相器INV3的输入端连接;INV3的输出端连接到INV4的输入端和M1的栅极;INV4的输出端就是Ven_out。
搜索关键词: 一种 用于 模拟 集成电路 不同 电压 静态 功耗 电路 装置
【主权项】:
一种用于模拟集成电路不同电压域的无静态功耗电路装置,其特征在于:其包括4个连接端口: 电源Vdd,地Vss,输入Ven_in和输出Ven_out;M1、M2、M3、M4、M5、M6 是PMOS晶体管,M7和M8是NMOS晶体管,INV1、INV2、INV3、INV4是反相器;Ven_in连接电阻R1和反相器INV1的输入端;INV1的电源连接到M2的漏极;INV1的输出端连接到M8的栅极和反相器INV2的输入端;INV2的电源连接到R1的另一端;INV2的输出端连接到M7的栅极和M1的漏极;M1的源极和M2的漏极以及电容Cbs的一端连接在一起;M2的栅极和 M3的漏极、M3和M4的栅极以及电容Cst的一端连接在一起;M4和M5的漏极、M6的栅极以及M7的漏极连接在一起;M5的栅极、M6和M8的漏极以及反相器INV3的输入端连接在一起;INV3的输出端连接到INV4的输入端和M1的栅极;INV4的输出端就是Ven_out。
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