[发明专利]曝光方法有效
申请号: | 201010605310.8 | 申请日: | 2010-12-27 |
公开(公告)号: | CN102540742A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 黄玮 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F1/44 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种曝光方法,其包括以下步骤:对光刻版进行曝光,将其上的测试图形曝光后投影到圆片上;调整曝光镜头相对所述光刻版上的x方向移动第一步进距离或相对所述光刻版y方向移动第二步进距离;曝光,并投影缩放到圆片上;其中,所述第一步进距离大于或等于所述测试图形x方向尺寸,且小于所述光刻版x方向尺寸;所述第二步进距离大于或等于所述测试图形y方向尺寸且小于所述光刻版y方向尺寸。与现有技术相比,本发明的有益效果是:减少圆片翘曲对测试点影响,提高测试结果的准确性,同时,还可使用普通圆片进行光刻机像面弯曲度检测,减少或取消了双面抛光片的使用,成本较低。 | ||
搜索关键词: | 曝光 方法 | ||
【主权项】:
一种曝光方法,包括以下步骤:对光刻版进行曝光,将其上的测试图形曝光后投影到圆片上;调整曝光镜头相对所述光刻版上的x方向移动第一步进距离或相对所述光刻版y方向移动第二步进距离;曝光,并投影缩放到圆片上;其中,所述第一步进距离大于或等于所述测试图形x方向尺寸,且小于所述光刻版x方向尺寸;所述第二步进距离大于或等于所述测试图形y方向尺寸且小于所述光刻版y方向尺寸。
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