[发明专利]两级运算放大器有效
| 申请号： | 201010605378.6 | 申请日： | 2010-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102545805B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 程亮 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种两级运算放大器，包括第一运放电路、第二级运放电路；两共模反馈电路；偏置电路，其分别给两共模反馈电路提供偏置信号；所述开关电容共模反馈电路作为第一级运放电路的共模反馈。本发明两级运算放大器在为第一级运放电路增加一个开关电容共模反馈电路及相应的偏置电路的条件下，使第一级运放电路的共模输出电压与第二级运放电路的输入共模电压之间实现了良好的匹配。 | ||
| 搜索关键词： | 运算放大器 | ||
【主权项】：
一种两级运算放大器，其特征在于，包括：第一运放电路、第二级运放电路；两共模反馈电路；偏置电路，其分别给两共模反馈电路提供偏置信号；所述两共模反馈电路分别为开关电容共模反馈电路和固定共模反馈电路，所述开关电容共模反馈电路作为第一级运放电路的共模反馈，使所述第一级运放电路的输出共模电压随着MOS管阈值的变化而进行调整；所述固定共模反馈电路作为第二级运放电路的共模反馈；所述偏置电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管及第一电阻、第二电阻，其中，第一PMOS管的源极与电源电压VDD连接，第一PMOS管的漏极与第二PMOS管的源极连接，第一PMOS管的栅极与第二PMOS管的栅极、第四PMOS管的栅极连接并输出电压信号VCOM1，所述第二PMOS管的漏极与第一NMOS管的源极连接，第一NMOS管的漏极与参考地VSS连接，第一NMOS管的栅极与参考电压VREF连接，所述第三PMOS管的源极与电源电压VDD连接，所述第三PMOS管的漏极与第四PMOS管的源极连接，所述第三PMOS管的栅极则作为电压信号VB，所述第四PMOS管的漏极与第二NMOS管的源极连接，所述第二NMOS管的漏极接参考地VSS，所述第二NMOS管的栅极接参考电压VREF，第一电阻的一端接参考电压VREF1，另一端与第二电阻的一端连接并输出电压信号VCOM2，第二电阻的另一端与参考地VSS连接；其中，第一级运放电路的偏置电路的电压信号VCOM1和VB为所述开关电容共模反馈电路提供所需偏置信号，且所述VCOM1和MOS管的阈值线性相关。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华半导体有限公司，未经无锡华润上华半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010605378.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
