[发明专利]一种MOSFET功率器件减小导通电阻RDS(on)的工艺方法

摘要

本发明公开了一种MOSFET功率器件减小导通电阻RDS(on)的工艺方法，该方法包括A和B两种技术方案，所述的方法包括选择重掺杂N型衬底，生长轻惨杂N外延层、做磷注入、高温退火，在外延层表面形成一定结深的浓N型区、在外延层上完成分压环及有源区形成工艺等步骤。本发明是在外延后或者器件的分压环形成后增加一层淡磷注入并做高温退火工艺，然后进行浓硼工艺或栅氧工艺。在外延层表面形成一薄层比外延层稍浓的N型层，此N型层一方面减小了Rd的电阻，另一方面减小了后面工序P-Well的横向扩散，使Rjfet电阻减小，从而减小MOSFET器件的导通电阻RDS(on)，会减小10％左右。

主权项

一种MOSFET功率器件减小导通电阻RDS(on)的工艺方法，其特征在于，所述的方法包括步骤：步骤A‑1：选择重掺杂N型衬底，按产品要求生长轻惨杂N外延层；步骤A‑2：在步骤A‑1中生长好外延层的硅片上做磷注入；步骤A‑3：在步骤A‑2中完成，磷注入后的圆片做高温退火，在外延层表面形成一定结深的浓N型区；步骤A‑4：在表面形成浓N型层的外延上继续完成后面MOSFET制造的后续工艺。