[发明专利]一氧化钛仿金纳米薄膜的制备方法无效
申请号: | 201010606348.7 | 申请日: | 2010-12-24 |
公开(公告)号: | CN102534499A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 冶银平;杜雯;李红轩;赵飞;权伟龙;吉利;陈建敏;周惠娣 | 申请(专利权)人: | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
主分类号: | C23C14/08 | 分类号: | C23C14/08;C23C14/35;C23C14/02 |
代理公司: | 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 | 代理人: | 方晓佳 |
地址: | 730000 甘*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | 本发明公开了一种一氧化钛仿金纳米薄膜的制备方法。该方法制备的薄膜厚度在450nm左右,薄膜外观显示美丽的金黄色,为单一TiO晶型,颗粒粒径小、分布均匀。本发明中具有高效快速,对环境无污染的特点。仿金纳米薄膜具有理想的装饰效果,可望应用于高级仿金材料,并可用于仪器仪表等诸多领域。 | ||
搜索关键词: | 氧化 钛仿金 纳米 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种一氧化钛仿金纳米薄膜的制备方法,其特征在于该方法包括以下步骤:A、清洗:将玻璃、硅片或不锈钢片清洗干净、干燥,作为基片;B、置样:将基片放置在真空磁控溅射镀膜装置中样品架上;C、抽本底真空:抽本底真空至4×10‑3Pa~7.6×10‑3Pa;D、等离子体清洗基片表面:在反应腔室中通入Ar气(99.99%),355~70sccm,使腔室压强为2.0Pa,启动转架;打开脉冲偏压电源,偏压值为600V,占空比为50%;产生等离子体清洗基片表面20min。E、溅射镀膜:调小Ar气气流量至50~85sccm。溅射所用靶材为99%Ti靶;开启溅射电源,溅射电流值为5~12A,溅射功率为2.6~2.9KW,开启脉冲偏压电源调节偏压值为200~800V,占空比20%~50%。2~5min后通入O2气流量为15~25sccm,溅射压强值为3.0~4.5×10‑1Pa,镀膜1~4小时;F、关机:关闭加热,关闭偏压及溅射电源,调小气流量,关闭气体,关机。
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