[发明专利]一种对单晶硅表面进行微结构化的方法有效
| 申请号： | 201010606953.4 | 申请日： | 2010-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102277623A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 徐琛 | 申请（专利权）人： | 横店集团东磁股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 322118 浙江省金*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于太阳能电池制造领域，具体涉及一种对单晶硅表面进行微结构化的方法，包括下述几个步骤：第一步：对单晶硅片进行清洗和亲水化处理；第二步：将单晶硅片置入酸腐蚀溶液中进行液态蚀刻，所述的酸腐蚀溶液为HF溶液与HNO3溶液的混合溶液；第三步：将经液态蚀刻处理后的单晶硅片进行光化学蚀刻。本发明得到的硅表面微结构有较高的长径比，硅表面微结构具有良好的抗反射性能，特别是在波长350nm-1000nm范围内，硅片的反射率从33%下降至7%。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 表面 进行 微结构 方法 | ||
【主权项】：
一种对单晶硅表面进行微结构化的方法，包括下述几个步骤：第一步：对单晶硅片进行清洗和亲水化处理，第二步：将经清洗和亲水化处理后的单晶硅片置入酸腐蚀溶液中进行液态蚀刻，其中：所述的酸腐蚀溶液为按体积比为HF溶液：HNO3溶液：水 = 4‑10%：9‑30% ：60‑87%配制的混合溶液，腐蚀温度为50℃，腐蚀时间为10‑20分钟，第三步：将经液态蚀刻处理后的单晶硅片进行光化学蚀刻，操作过程为：单晶硅片放入按体积比为HF溶液：H2O2溶液= 3：1配制的混合溶液，单晶硅片表面到液面距离为1mm，然后用能量密度为0.5‑1kJ/m2的532nm的Nd：YAG激光对单晶硅片表面进行照射，其中：激光脉冲宽度为5ns、重复频率为30Hz、照射次数为150‑1500次。
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