[发明专利]一种BOOST与BUCK集成的无桥单级PFC电路无效

专利信息
申请号: 201010607182.0 申请日: 2010-12-27
公开(公告)号: CN102005915A 公开(公告)日: 2011-04-06
发明(设计)人: 林维明 申请(专利权)人: 福州大学
主分类号: H02M1/42 分类号: H02M1/42
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 蔡学俊
地址: 350108 福建省福州市*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开了一种BOOST电路与BUCK电路集成的无桥单级PFC电路,包括交流输入源Vin,功率MOSFET管S1,功率MOSFET管S2,二极管D1,二极管D2,二极管D3,二极管D4,二极管D5,二极管D6,二极管D7,储能电容C1,储能电容C2,电感L1,电感L2和负载等效电阻R1。其特征在于:通过功率MOSFET管S1,储能电容C1和二极管D7结合了一个无桥BOOST电路与一个BUCK电路:功率MOSFET管S1既作为无桥BOOST电路的开关管之一,又作为BUCK电路的开关管;储能电容C1作为无桥BOOST电路的输出电容储存无桥BOOST电路传输的能量,并作为BUCK电路的输入电容,给BUCK电路的负载提供能量。与现有技术相比,本发明的主要优点是:1、省略了输入整流桥,降低了导通损耗。2、将功率因数校正级电路和后级DC-DC电路结合在一起,用一个控制器就能同时完成功率因数校正和输出电压调节功能,器件较少,提高了效率,降低了成本。
搜索关键词: 一种 boost buck 集成 无桥单级 pfc 电路
【主权项】:
一种BOOST电路与BUCK电路集成的无桥单级PFC电路,包括交流输入源Vin,功率MOSFET管S1,功率MOSFET管S2,二极管D1,二极管D2,二极管D3,二极管D4,二极管D5,二极管D6,二极管D7,储能电容C1,储能电容C2,电感L1,电感L2和负载等效电阻R1;其特征在于:交流输入源Vin,功率MOSFET管S1,功率MOSFET管S2,二极管D1,二极管D2,二极管D3,二极管D4,二极管D5,二极管D6,储能电容C1,电感L1构成了无桥升压型电路;储能电容C1,储能电容C2,二极管D7,功率MOSFET管S1,电感L2和负载等效电阻R1构成了BUCK降压型电路;功率MOSFET管S1是无桥BOOST电路的开关管之一,又是BUCK电路的开关管;储能电容C1是无桥BOOST电路的输出电容储存无桥BOOST电路传输的能量,又是BUCK电路的输入电容,给BUCK电路的负载提供能量;功率MOSFET管S1和功率MOSFET管S2高频工作,且控制驱动信号相同。
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