[发明专利]带绒面导电氧化锌薄膜的晶体硅太阳能电池及其制造方法无效
申请号: | 201010607488.6 | 申请日: | 2010-12-27 |
公开(公告)号: | CN102569434A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 刘金彪;熊文娟;欧文;李俊峰 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18;B41M1/12;C30B33/10 |
代理公司: | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人: | 陈红 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种带绒面导电氧化锌薄膜的晶体硅太阳能电池及其制造方法,制造方法包括:在电池衬底表面扩散PN结;在所述PN结表面生长本征氧化锌高阻层;在所述本征氧化锌高阻层上制备一层低阻氧化锌薄膜;用稀酸溶液腐蚀所述低阻氧化锌薄膜表面,形成月球坑状的绒面陷光结构;印刷焊点和背场;烧结形成电池片。由于透明导电膜同时可担任正电极,完全克服了传统电池栅线不透明阻挡受光面积的缺点,增大太阳能电池的受光面积。同时透明导电膜替代了传统钝化层,简化了工艺,另外在制绒方面以稀盐酸湿法腐蚀氧化锌,仅需30秒左右,药液的消耗也明显减少,从而降低了成本提高了生产效率。 | ||
搜索关键词: | 带绒面 导电 氧化锌 薄膜 晶体 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种带绒面导电氧化锌薄膜的晶体硅太阳能电池的制作方法,至少包括以下步骤:在电池衬底表面扩散PN结;在所述PN结表面生长本征氧化锌高阻层;在所述本征氧化锌高阻层上制备一层低阻氧化锌薄膜;用稀酸溶液腐蚀所述低阻氧化锌薄膜表面,形成具有月球坑状的绒面陷光结构的低阻氧化锌绒面薄膜;印刷引线电极和背场;烧结形成电池片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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