[发明专利]半导体器件、形成栓塞的方法

摘要

一种半导体器件、形成栓塞的方法，形成栓塞的方法包括：提供第一衬底；在第一衬底上依次形成剥离层和金属层；利用压印模具拓印金属层，形成位于剥离层上的金属凸柱；形成碳单原子层，覆盖金属凸柱的表面；形成粘附层，覆盖碳单原子层的表面以及剥离层暴露的表面；去除剥离层；转移金属凸柱和粘附层至第二衬底上，第二衬底为半导体衬底，第二衬底中形成有器件结构；去除粘附层；在金属凸柱之间形成超低k介质层，位于超低k介质层中的金属凸柱以及位于金属凸柱表面的碳单原子层作为栓塞，栓塞与器件结构电连接。本发明形成的栓塞，比铜、钨作为材料的栓塞具有更好的导电性，可以降低RC延迟，提高半导体器件的性能，促进半导体技术的发展。

主权项

一种形成栓塞的方法，其特征在于，包括：提供第一衬底；在所述第一衬底上依次形成剥离层和金属层；利用压印模具拓印所述金属层，形成位于所述剥离层上的金属凸柱；形成碳单原子层，覆盖所述金属凸柱的表面；形成粘附层，覆盖所述碳单原子层的表面以及所述剥离层暴露的表面；去除所述剥离层；转移金属凸柱和粘附层至第二衬底上，所述第二衬底为半导体衬底，所述第二衬底中形成有器件结构；去除所述粘附层；在所述金属凸柱之间形成超低k介质层，位于所述超低k介质层中的金属凸柱以及位于所述金属凸柱表面的碳单原子层作为栓塞，所述栓塞与所述器件结构电连接。