[发明专利]硅酸铋闪烁晶体的定形提拉生长方法无效

专利信息
申请号: 201010608426.7 申请日: 2010-12-28
公开(公告)号: CN102002754A 公开(公告)日: 2011-04-06
发明(设计)人: 徐家跃;申慧;金敏;张彦;何庆波;江国健;王占勇 申请(专利权)人: 上海应用技术学院
主分类号: C30B15/24 分类号: C30B15/24;C30B29/34;C30B29/64
代理公司: 上海申汇专利代理有限公司 31001 代理人: 吴宝根
地址: 200235 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种定形提拉法生长硅酸铋(Bi4Si3O12,简称BSO)闪烁晶体的方法,属于单晶生长领域。其特点是在坩埚中设计和安装特定形状的模具,利用定形提拉炉生长的BSO闪烁晶体。所述的方法为:Bi2O3、SiO2经过高温预烧得到BSO多晶原料,放入带有特定形状模具的坩埚中,装入定形提拉炉中。持续加热至1100-1200℃,恒温3-5h,然后下籽晶并快速提拉,生长得到板状BSO晶体。本发明能够快速生长高质量的板状BSO闪烁晶体,减少晶体生长周期,同时减少了后期的晶体加工工序,提高晶体利用率,有效节约生产成本。
搜索关键词: 硅酸 闪烁 晶体 定形 生长 方法
【主权项】:
1.一种板状晶体定形提拉炉,包括炉壁、提拉机构、发热体、坩埚,其特征在于还包括用于控制晶体生长形状的定形模具,定形模具置于坩埚中;所述的用于控制晶体生长形状的定形模具,包括模具片和支撑架,支撑架和模具片为一体,成“L”形,使用时两个定形模具左右水平相对放置,形成形状如“”的模具组,在两个模具的模具片中间形成狭缝。
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