[发明专利]太阳能电池无效
| 申请号： | 201010609235.2 | 申请日： | 2010-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102487090A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 吴德清;萧睿中;徐伟智;陈建勋 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/0376;H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 陈红;郑焱 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种太阳能电池，包括：一基底，包括一第一表面和一第二表面，其中基底为第一型态；一穿孔，贯穿基底，基底的穿孔中包括一第三表面；一第一薄膜半导体层，设置于穿孔中的第三表面和并延伸至基底的第二表面上方，其中第一薄膜半导体层为第二型态；一第二薄膜半导体层，设置于基底的第一表面上；一透明导电层，设置于第二薄膜半导体层上；及一穿孔连接层，设置于穿孔中，并延伸至基底的第一表面和第二表面上方，其中第一薄膜半导体层和基底之间形成一接面，用以避免穿孔连接层金属和基底间的短路发生。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池，包括：一基底，包括一第一表面和一第二表面，其中该基底为第一型态；一穿孔，贯穿该基底，该基底的穿孔中包括一第三表面；一第一薄膜半导体层，设置于该穿孔中的第三表面和并延伸至该基底的第二表面上方，其中该第一薄膜半导体层为第二型态；一第二薄膜半导体层，设置于该基底的第一表面上；一透明导电层，设置于该第二薄膜半导体层上；及一穿孔连接层，设置于该穿孔中，并延伸至该基底的第一表面和第二表面上方，其中该第一薄膜半导体层和该基底之间形成一接面，用以避免穿孔连接层和基底间的短路发生。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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