[发明专利]咔唑衍生物，和使用该咔唑衍生物获得的发光元件材料、发光元件和电子设备有效
| 申请号： | 201010609289.9 | 申请日： | 2006-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN102127422A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 川上祥子;大泽信晴;中岛晴惠;小岛久味;江川昌和;野村亮二 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | C09K11/06 | 分类号： | C09K11/06;C07D209/86;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 杨勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： |
本发明目的是提供咔唑衍生物，该咔唑衍生物可用作制造具有耐重复氧化反应性的发光元件材料的原材料。该咔唑衍生物由以下通式(1)表示。在通式(1)中，R1表示选自以下基团中的任一个：含1-4个碳原子的烷基如甲基、乙基和叔丁基，和含1-12个碳原子的芳基如苯基、联苯、和萘基。 |
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| 搜索关键词： | 衍生物 使用 获得 发光 元件 材料 电子设备 | ||
【主权项】：
1.发光元件，其包含：第一电极；在该第一电极上的发光层；在该发光层上的第二电极，其中该发光层包含通式(1)表示的发光材料：![]()
其中R1表示选自氢、具有1至4个碳原子的烷基以及具有1至12个碳原子的芳基的基团，其中R2表示选自氢、甲基和叔丁基的基团，并且其中R3表示选自氢、甲基和叔丁基的基团。
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