[发明专利]一种浅沟槽隔离制作方法有效

专利信息
申请号: 201010609554.3 申请日: 2010-12-28
公开(公告)号: CN102543823A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 赵猛 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/762 分类号: H01L21/762;H01L21/265
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 牛峥;王丽琴
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种浅沟槽隔离制作方法,该方法在填充浅沟槽的二氧化硅中掺杂重金属离子,形成的重金属离子掺杂层与后续制作的PMOS导电沟道处在同一水平位置,由重金属离子掺杂层形成具有张应力的浅沟槽隔离,进而通过有源区向PMOS器件的导电沟道施加压应力,增强PMOS器件的导电沟道中载流子的迁移率,从而降低PMOS的功耗,提高PMOS器件的响应速度。
搜索关键词: 一种 沟槽 隔离 制作方法
【主权项】:
一种浅沟槽隔离制作方法,提供具有衬底的晶片,所述衬底表面依次具有二氧化硅衬垫和氮化硅层,依次刻蚀所述氮化硅层、所述二氧化硅衬垫和所述衬底,在所述氮化硅层和所述二氧化硅衬垫中形成窗口,在所述衬底中形成浅沟槽,其特征在于,该方法还包括:所述氮化硅层表面和所述浅沟槽表面沉积二氧化硅,填充所述浅沟槽;化学机械研磨去除所述氮化硅层上沉积的二氧化硅,露出所述氮化硅层时停止所述化学机械研磨;以所述氮化硅层和所述二氧化硅衬垫为掩膜,重金属离子掺杂所述浅沟槽中的二氧化硅,形成重金属离子掺杂层,所述重金属离子掺杂层与后续制作的空穴型金属氧化物半导体场效应晶体管导电沟道处在同一水平位置;所述晶片退火。
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