[发明专利]一种浅沟槽隔离制作方法有效
申请号: | 201010609554.3 | 申请日: | 2010-12-28 |
公开(公告)号: | CN102543823A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 赵猛 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/762 | 分类号: | H01L21/762;H01L21/265 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 牛峥;王丽琴 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种浅沟槽隔离制作方法,该方法在填充浅沟槽的二氧化硅中掺杂重金属离子,形成的重金属离子掺杂层与后续制作的PMOS导电沟道处在同一水平位置,由重金属离子掺杂层形成具有张应力的浅沟槽隔离,进而通过有源区向PMOS器件的导电沟道施加压应力,增强PMOS器件的导电沟道中载流子的迁移率,从而降低PMOS的功耗,提高PMOS器件的响应速度。 | ||
搜索关键词: | 一种 沟槽 隔离 制作方法 | ||
【主权项】:
一种浅沟槽隔离制作方法,提供具有衬底的晶片,所述衬底表面依次具有二氧化硅衬垫和氮化硅层,依次刻蚀所述氮化硅层、所述二氧化硅衬垫和所述衬底,在所述氮化硅层和所述二氧化硅衬垫中形成窗口,在所述衬底中形成浅沟槽,其特征在于,该方法还包括:所述氮化硅层表面和所述浅沟槽表面沉积二氧化硅,填充所述浅沟槽;化学机械研磨去除所述氮化硅层上沉积的二氧化硅,露出所述氮化硅层时停止所述化学机械研磨;以所述氮化硅层和所述二氧化硅衬垫为掩膜,重金属离子掺杂所述浅沟槽中的二氧化硅,形成重金属离子掺杂层,所述重金属离子掺杂层与后续制作的空穴型金属氧化物半导体场效应晶体管导电沟道处在同一水平位置;所述晶片退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造