[发明专利]一种低温烧结的ZnO-Bi2O3-B2O3系压敏电阻材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201010609755.3 申请日: 2010-12-28
公开(公告)号: CN102167579A 公开(公告)日: 2011-08-31
发明(设计)人: 刘丰华;许高杰;段雷;李勇;崔平 申请(专利权)人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
主分类号: C04B35/453 分类号: C04B35/453;C04B35/622
代理公司: 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人: 刘诚午
地址: 315201 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种低温烧结的ZnO-Bi2O3-B2O3系压敏电阻材料,由如下原料制成:ZnO、Bi2O3、TiO2、Co2O3、Cr2O3、MnCO3、NiO、Al2O3和硼的氧化物;相对于100重量份ZnO,所述的硼的氧化物的添加量以B2O3换算计为2.2~20重量份。该材料不含Sb2O3,烧结温度较低,电压敏综合性能优良。本发明还公开了该材料的制备方法,工艺简单易于操作。
搜索关键词: 一种 低温 烧结 zno bi sub 压敏电阻 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一种低温烧结的ZnO‑Bi2O3‑B2O3系压敏电阻材料,由如下原料制成:ZnO、Bi2O3、TiO2、Co2O3、Cr2O3、MnCO3、NiO、Al2O3和硼的氧化物;所述的ZnO、Bi2O3、TiO2、Co2O3、Cr2O3、MnCO3、NiO和Al2O3中各原料的摩尔百分比组成为:ZnO              90.5%~96.5%;Bi2O3            0.3%~5%;TiO2             0.1%~3%;Co2O3            0.1%~2%;Cr2O3            0.1%~1%;MnCO3            0.2%~2%;NiO              0.1%~1%;Al2O3            0.005%~0.05%;相对于100重量份ZnO,所述的硼的氧化物的添加量以B2O3换算计为2.2~20重量份。
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