[发明专利]一种利用基带芯片的通用IO口测量手机电池温度的方法无效

专利信息
申请号: 201010609807.7 申请日: 2010-12-24
公开(公告)号: CN102564636A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 柴路 申请(专利权)人: 希姆通信息技术(上海)有限公司
主分类号: G01K7/22 分类号: G01K7/22
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 代理人: 赵继明
地址: 200335 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种利用基带芯片的通用IO口测量手机电池温度的方法,该方法包括以下步骤:1)通过放电电阻R3给电容放电;2)电容放电完成后,通过热敏电阻R1给电容充电,当检测到电平变高的时候,停止充电,并采集充电时间T1;3)通过放电电阻R3给电容放电;4)电容放电完成后,通过标准电阻R2给电容充电,当检测到电平变高的时候,停止充电,并采集充电时间T2;5)手机处理器对所采集的充电时间进行处理,得出手机电池的温度。与现有技术相比,本发明具有方法简单,且节省了基带芯片的硬件资源等优点。
搜索关键词: 一种 利用 基带 芯片 通用 io 测量 手机电池 温度 方法
【主权项】:
一种利用基带芯片的通用IO口测量手机电池温度的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:1)手机处理器将第一通用IO口和第二通用IO口设置为高阻态,第三通用IO口设置为输出低,通过放电电阻R3给电容放电;2)电容放电完成后,手机处理器将第一通用IO口设置为输出高,第二通用IO口设置为高阻态,第三通用IO口设置为输入口,通过热敏电阻R1给电容充电,第三通用IO口可检测电平变化,当检测到电平变高的时候,停止充电,并采集充电时间T1;3)手机处理器将第一通用IO口和第二通用IO口设置为高阻态,第三通用IO口设置为输出低,通过放电电阻R3给电容放电;4)电容放电完成后,手机处理器将第二通用IO口设置为输出高,第一通用IO口设置为高阻态,第三通用IO口设置为输入口,通过标准电阻R2给电容充电,第三通用IO口检测电平变化,当检测到电平变高的时候,停止充电,并采集充电时间T2;5)手机处理器根据T1/T2=R1/R2对所采集的充电时间进行处理,得出手机电池的温度。
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