[发明专利]一种硅片的抛光方法有效
| 申请号： | 201010609918.8 | 申请日： | 2010-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102172878A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 陈跃骅 | 申请（专利权）人： | 浙江旭盛电子有限公司 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02;H01L21/304 |
| 代理公司： | 杭州天正专利事务所有限公司 33201 | 代理人： | 舒良 |
| 地址： | 324300 浙江省开*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅片的抛光方法，该方法是将清洗、碱腐蚀后的硅片用抛光腊粘贴定位在抛光机的抛光板上，控制抛光液的流量在60～100ml/min之间并开始加压抛光，在0～5分钟之间将压力控制在0.1～0.2kg/cm2，在5～10分钟之间将压力控制在0.4～0.5kg/cm2，在10～20分钟之间将压力控制在0.8～1kg/cm2，之后，停止抛光；然后，在抛光面不变的情况下，将硅片从原定位的位置旋转180度后用抛光腊重新粘贴定位在抛光机的抛光板上，并重新开始上述条件下的抛光，如此反复多次即可。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 抛光 方法 | ||
【主权项】：
一种硅片的抛光方法，其特征在于将清洗、碱腐蚀后的硅片用抛光腊粘贴定位在抛光机的抛光板上，控制抛光液的流量在60～100ml/min之间并开始加压抛光，在0～5分钟之间将压力控制在0.1～0.2KG/cm2，在5～10分钟之间将压力控制在0.4～0.5KG/cm2，在10～20分钟之间将压力控制在0.8～1KG/cm2，之后，停止抛光；然后，在抛光面不变的情况下，将硅片从原定位的位置旋转180度后用抛光腊重新粘贴定位在抛光机的抛光板上，并重新开始上述条件下的抛光，如此反复多次即可。
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