[发明专利]非UV型芯片模贴装膜和制造该芯片模贴装膜的方法有效
申请号: | 201010610077.2 | 申请日: | 2010-12-22 |
公开(公告)号: | CN102142389A | 公开(公告)日: | 2011-08-03 |
发明(设计)人: | 朴白晟;黄珉珪;金志浩 | 申请(专利权)人: | 第一毛织株式会社 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;C09J7/02 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 陈万青;王珍仙 |
地址: | 韩国庆*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种非UV型芯片模贴装膜和制造该芯片模贴装膜的方法。光固化粘结剂组合物的切割膜层被引入到将被贴装到晶圆上的贴装层。所述切割膜层包括与所述贴装层重叠的贴装层区域和具有在所述贴装层附近暴露的上表面的环形框架区域。对所述切割膜层的背面照射UV光以使作为自由基清除剂的氧气流引入所述环形框架区域的暴露上表面以抑制所述环形框架区域的光固化,同时引起所述氧气流被所述贴装层阻挡的所述贴装层区域的光固化。 | ||
搜索关键词: | uv 芯片 模贴装膜 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种制造芯片模贴装膜的方法,包括:将光固化粘结剂组合物的切割膜层引入到将被粘贴到晶圆上的贴装层,所述切割膜层包括与所述贴装层重叠的贴装层区域和具有在所述贴装层附近暴露的上表面的环形框架区域;和对所述切割膜层的背面照射UV光以使作为自由基清除剂的氧气流进入所述环形框架区域的暴露上表面以抑制所述环形框架区域的光固化,同时引起所述氧气流被所述贴装层阻挡的所述贴装层区域的光固化。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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