[发明专利]光纤预制棒的制造方法有效
申请号: | 201010610166.7 | 申请日: | 2010-12-29 |
公开(公告)号: | CN102092936A | 公开(公告)日: | 2011-06-15 |
发明(设计)人: | 陈伟;李诗愈;莫琦;罗文勇;王冬香;柯一礼;黄文俊;胡福明 | 申请(专利权)人: | 烽火通信科技股份有限公司 |
主分类号: | C03B37/018 | 分类号: | C03B37/018 |
代理公司: | 北京捷诚信通专利事务所(普通合伙) 11221 | 代理人: | 魏殿绅;庞炳良 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种光纤预制棒的制造方法,包括步骤:(1)采用轴向气相沉积VAD工艺制备光纤芯棒,采用等离子化学气相沉积PCVD工艺制备掺氟下陷包层;(2)将步骤(1)中制备的光纤芯棒和掺氟下陷包层,熔缩成光纤芯棒预制件;(3)将所述光纤芯棒预制件安置在外部气相沉积OVD车床上,进行外包层的沉积,沉积完成后,将其烧结成透明的光纤预制棒。本发明能够大幅度提高弯曲不敏感单模光纤预制棒的制造效率,降低生产成本,便于规模化生产的推广,以满足高速宽带接入网络对弯曲不敏感单模光纤发展的需求,而且提升了氟的沉积效率,增大了氟沉积包层的下陷深度,显著提升了光纤的抗弯能力。 | ||
搜索关键词: | 光纤 预制 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种光纤预制棒的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)采用轴向气相沉积VAD工艺制备光纤芯棒,采用等离子化学气相沉积PCVD工艺制备掺氟下陷包层;(2)将步骤(1)中制备的光纤芯棒和掺氟下陷包层,熔缩成光纤芯棒预制件;(3)将所述光纤芯棒预制件安置在外部气相沉积OVD车床上,进行外包层的沉积,沉积完成后,将其烧结成透明的光纤预制棒。
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