[发明专利]发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201010610228.4 | 申请日： | 2010-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102130245A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 肖德元;张汝京 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/22;H01L33/12;H01L33/42;H01L33/64;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，所述发光二极管包括：衬底，包括正面和与正面相对的背面，正面上具有多个凸起；依次形成于凸起上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；形成于第二导电类型半导体层上的第二导电类型电极；形成于衬底背面的第一导电类型电极。所述凸起使得在衬底上的膜层具有较低的缺陷密度和较低的、均匀的应力分布，晶圆不易破裂，形成的发光二极管的内量子效率与外量子效率均得到改善；此外，由于采用衬底作为发光二极管的一个电极垂直结构，充分利用了芯片的有效发光面积并改善了发光二极管的散热性能，发光二极管的发光效率进一步提高。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括：衬底，包括正面以及与所述正面相对的背面，所述正面上具有多个凸起；依次形成于所述凸起上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；形成于所述第二导电类型半导体层上的第二导电类型电极；形成于所述衬底背面的第一导电类型电极。
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