[发明专利]槽型半导体功率器件无效
| 申请号： | 201010610944.2 | 申请日： | 2010-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102110716A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 罗小蓉;姚国亮;雷天飞;王元刚;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/51 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曲宝壮;李家麟 |
| 地址： | 611731 中国四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件，该器件包括半导体衬底，所述半导体衬底上是半导体漂移区，所述半导体漂移区包括第一导电类型的半导体区和第二导电类型的半导体区，所述第一导电类型的半导体区和所述第二导电类型的半导体区形成超结结构。所述半导体衬底上是高K介质，所述高K介质与所述第二导电类型的半导体区相邻。所述半导体漂移区上是有源区。所述高K介质上是槽栅结构，所述槽栅结构与所述有源区相邻。其中，所述第二导电类型的半导体区通过小倾角离子注入形成，因此宽度窄且浓度高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，该器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底上的半导体漂移区，所述半导体漂移区包括第一导电类型的半导体区和通过小倾角离子注入形成的第二导电类型的半导体区，所述第一导电类型的半导体区和所述第二导电类型的半导体区形成超结结构；所述半导体衬底上的高K介质，所述高K介质与所述第二导电类型的半导体区相邻；所述半导体漂移区上的有源区；所述高K介质上方的槽栅结构，所述槽栅结构与所述有源区相邻。
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