[发明专利]TFT-LCD的阵列基板及其制造方法有效
申请号: | 201010611650.1 | 申请日: | 2010-12-28 |
公开(公告)号: | CN102566155A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 孙荣阁;叶* | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种TFT-LCD的阵列基板及其制造方法,涉及液晶显示器技术领域,能够在对位精度不高时,减小存储电容。该阵列基板包括:基板,基板上的栅线和数据线;栅线和数据线交叉定义一个像素单元,每一个像素单元包括薄膜晶体管、公共电极、通过绝缘层隔开的第一像素电极层和第二像素电极层;第一像素电极层与公共电极连接,包括被第一像素电极层开口间隔开的数个第一像素电极;第二像素电极层与薄膜晶体管的漏极连接,包括被第二像素电极层开口间隔开的数个第二像素电极;第二像素电极包括完全重叠于第一像素电极的重叠处像素电极和其边缘完全落入第一像素电极层开口内的开口处像素电极。 | ||
搜索关键词: | tft lcd 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种TFT‑LCD的阵列基板,其特征在于,包括:基板,形成在基板上的栅线和数据线;栅线和数据线交叉定义一个像素单元,每一个像素单元包括薄膜晶体管、公共电极、第一像素电极层和第二像素电极层;所述第一像素电极层与所述第二像素电极层通过绝缘层隔开;所述第一像素电极层与公共电极连接,包括被第一像素电极层开口间隔开的数个第一像素电极;所述第二像素电极层与所述薄膜晶体管的漏极连接,包括被第二像素电极层开口间隔开的数个第二像素电极;所述第一像素电极与所述第二像素电极交错排列;所述第二像素电极包括完全重叠于第一像素电极的重叠处像素电极和其边缘完全落入第一像素电极层开口内的开口处像素电极;所述重叠处像素电极与所述开口处像素电极间隔分布。
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