[发明专利]一种低温多晶硅TFT阵列基板的制造方法有效
| 申请号： | 201010612965.8 | 申请日： | 2010-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102543860A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 袁广才;王刚 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L21/027;H01L21/28;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种低温多晶硅TFT阵列基板的制造方法，涉及液晶显示器制造领域，通过使用半透式掩摸或灰色调掩摸工艺，有效减少了利用掩膜板曝光的次数，从而降低了工序复杂度，在缩短了加工时间的同时降低了加工成本。其方法为：在基板上形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成栅金属层；利用半透式掩膜板或灰色调掩摸板，对所述栅金属层、栅绝缘层、多晶硅层进行构图工艺处理，通过一次构图工艺得到包括栅电极和多晶硅半导体部分的图案。本发明实施例用于LTPS TFT-LCD制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 多晶 tft 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种低温多晶硅TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：在基板上形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成栅金属层；利用半透式掩膜板或灰色调掩摸板，对所述栅金属层、栅绝缘层、多晶硅层进行构图工艺处理，通过一次构图工艺得到包括栅电极和多晶硅半导体部分的图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
