[发明专利]双向触发二极管刀刮玻璃钝化工艺

摘要

本发明公开了一种双向触发二极管刀刮玻璃钝化工艺，包括以下工艺步骤：将扩散出NPN型的硅片做好光刻图形，放入混酸腐蚀液中进行腐蚀出各芯片的NPN型台面沟槽，配制玻璃浆用溶剂、配制玻璃浆，将搅拌好的玻璃浆涂敷到硅片表面和沟槽内，放入石英舟内，将其放入至石英管中预烧和烧成，重复步骤操作后，将制得的硅片经合金化后进行划片，制成所需的双向触发器件的芯片，工艺步骤简单，采用上述工艺使得双向触发二极管刀刮玻璃的钝化效果好，效率大大提高，而成本较之现有技术工艺成本则大大降低。

主权项

双向触发二极管刀刮玻璃钝化工艺，其特征在于，包括以下工艺步骤：(1)、将扩散出NPN型的硅片根据所需芯片的尺寸规格进行双面涂胶、前烘、曝光、显影及坚膜的光刻过程，做好光刻图形；(2)、将上述步骤中得到的硅片放入混酸腐蚀液中进行腐蚀，腐蚀出各芯片的NPN型台面沟槽，保持各芯片间连接而不断离，再进行去胶清洗；(3)、配制玻璃浆用溶剂：将乙基纤维素和丙酮稀释剂的投料为：1g∶5ml～1g∶20ml，将配置好的混合液放在烧杯中加热搅拌溶解，制得所需的玻璃浆用溶剂；(4)、配制玻璃浆：将步骤(3)中制得的玻璃浆用溶剂和铅系玻璃粉按3ml∶5g比例倒入茄形瓶中进行搅拌，制得所需的玻璃浆；(5)、将搅拌好的玻璃浆涂敷到步骤(2)中制得的硅片表面和沟槽内，去除多余的玻璃浆，随后将此硅片放入石英舟内；(6)、将步骤(5)中得到的盛放在石英舟内的硅片放入至石英管中预烧，控制预烧温度到575～585℃范围内，设定时间为20min；(7)、将步骤(6)中预烧后的硅片的表面擦拭干净，将其烧成烧成，控制烧成温度为850℃，设定时间为20min；(9)、重复步骤(5)～(8)；(10)、将步骤(9)制得的硅片经合金化后进行划片，制成所需的双向触发器件的芯片；上述步骤(2)中所述的混合酸腐蚀液，由硝酸、氢氟酸和乙酸组成，所述的硝酸、氢氟酸和乙酸按重量比计为：硝酸：32～50％，氢氟酸：12～28％，乙酸：10～22％。