[发明专利]壳体及其制造方法无效
| 申请号： | 201010614540.0 | 申请日： | 2010-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102560369A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;张成 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种壳体，包括铝/镁金属基体，形成于该铝/镁金属基体表面的防腐蚀层，及形成于防腐蚀层表面的色彩层，所述防腐蚀层包括依次形成于铝/镁金属基体表面的铝锰膜和氮化铝梯度膜，所述氮化铝梯度膜中N的原子百分含量由靠近铝/镁金属基体至远离铝/镁金属基体的方向呈梯度增加。本发明还提供了所述壳体的制造方法，包括以下步骤：提供铝/镁金属基体；于铝/镁金属基体上磁控溅射防腐蚀层；所述防腐蚀层包括依次形成于铝/镁金属基体表面的铝锰膜和氮化铝梯度膜；在该防腐蚀层上磁控溅射具有装饰性的色彩层。 | ||
| 搜索关键词： | 壳体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种壳体，包括铝/镁金属基体及形成于铝/镁金属基体表面的防腐蚀层，其特征在于：所述防腐蚀层包括依次形成于铝/镁金属基体表面的铝锰膜和氮化铝梯度膜，所述氮化铝梯度膜中N的原子百分含量由靠近铝/镁金属基体至远离铝/镁金属基体的方向梯度增加。
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