[发明专利]忆阻器及其制作方法无效
| 申请号： | 201010614926.1 | 申请日： | 2010-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102544359A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 刘琦;刘明;龙世兵;吕杭炳;王艳花;王艳;张森;李颖涛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种忆阻器包括：上导电电极；下导电电极；以及位于所述上导电电极和所述下导电电极之间的作为存储介质层的功能薄膜。还公开一种忆阻器的制作方法包括：在绝缘衬底上形成下导电电极；在下导电电极上淀积作为存储介质层的功能薄膜；在功能薄膜上形成上导电电极。根据本发明提供的具有忆阻器特性的半导体器件，其器件结构和制作工艺简单，并且与CMOS工艺完全兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 忆阻器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种忆阻器，其特征在于，包括：上导电电极、下导电电极、以及位于所述上导电电极和所述下导电电极之间的作为存储介质层的功能薄膜。
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