[发明专利]一种基于MEMS技术的流量计芯片的测量部件及其制作方法无效
| 申请号： | 201010615884.3 | 申请日： | 2010-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102175287A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 高玉翔;牟诗城;高鹏;徐超;吴元庆 | 申请（专利权）人： | 国家纳米技术与工程研究院 |
| 主分类号： | G01F1/684 | 分类号： | G01F1/684;G01P5/10;B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300457 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种基于MEMS技术的流量计芯片的测量部件，它包括一个带有流体通道的硅基，硅基及通道上方有一层薄的、表面粘度低的、导热性良好的绝缘层。制作方法：制成玻璃为基板的镍Ni金属掩模板；用光刻机将通道的图形转移到旋涂有光刻胶的硅片上；使用LPCVD技术在硅片上沉积一层二氧化硅；洗去非通道部分的光刻胶以及沉积在上面的二氧化硅；沉积一层特殊材料制成的绝缘层薄膜；在通道槽上方的绝缘层上测量装置；腐蚀掉通道中的二氧化硅。本发明将通道制作进了结构的内部，避免了传统的热电感应装置暴露在流体中的结构，绝缘层的材料选择表面粘度低、导热性良好的材料，则既可以保证测量数值的准确性，又可以大幅度的减少流体中杂质对流量计的污染。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 mems 技术 流量计 芯片 测量 部件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种基于MEMS技术的流量计芯片的测量部件，其特征在于它包括一个带有流体通道的硅基，硅基及通道上方有一层薄的、表面粘度低的、导热性良好的绝缘层，绝缘层上方是感应元件朝下的测量装置，绝缘层上方部分连接到电路中并封装。
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