[发明专利]用于衬底上的薄膜层的连续沉积的气相沉积设备和方法有效

专利信息
申请号: 201010615893.2 申请日: 2010-12-16
公开(公告)号: CN102108501A 公开(公告)日: 2011-06-29
发明(设计)人: C·拉思维格;M·W·里德;M·J·佩沃尔 申请(专利权)人: 初星太阳能公司
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;C23C16/30;H01L31/18
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 严志军;杨楷
地址: 美国科*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及用于衬底上的薄膜层的连续沉积的气相沉积设备和方法,具体而言,提供了用于将升华的源材料在光伏(PV)模块衬底上气相沉积成薄膜的一种设备及相关方法。容器设置在真空头部室内并构造成用于容纳源材料。加热的分配歧管设置在容器下方,并包括通过其中限定的多个通道。容器由该分配歧管间接加热至足以使容器内的源材料升华的程度。钼分配板设置在分配歧管下方,并位于被输送通过该设备的衬底的水平平面上方限定距离处。钼分配板包括通过其中的孔的图案,这些孔进一步将通过分配歧管的升华的源材料分配到下面的衬底的上表面上。该钼分配板包括按重量计大于大约75%的钼。
搜索关键词: 用于 衬底 薄膜 连续 沉积 设备 方法
【主权项】:
一种用于将升华的源材料在光伏(PV)模块衬底(14)上气相沉积成薄膜的设备(100),所述设备包括:沉积头(110);设置在所述沉积头(110)中的容器(116),所述容器(116)构造成用于容纳颗粒状的源材料;设置在所述容器(116)下方的加热的分配歧管(124),所述加热的分配歧管(124)构造成用来将所述容器(116)加热至足以使所述容器(116)内的源材料升华的程度;以及钼沉积板(152),其设置在所述分配歧管(124)的下方,并处在被输送通过所述设备(100)的衬底(14)的上表面的水平输送平面上方限定的距离处,所述钼分配板(152)限定通过其中的通道的图案,所述通道进一步分配通过所述分配歧管(124)的所述升华的源材料,其中所述钼分配板(152)包括按重量计大于大约75%的钼。
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