[发明专利]用于衬底上的薄膜层的连续沉积的气相沉积设备和方法有效
申请号: | 201010615893.2 | 申请日: | 2010-12-16 |
公开(公告)号: | CN102108501A | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
发明(设计)人: | C·拉思维格;M·W·里德;M·J·佩沃尔 | 申请(专利权)人: | 初星太阳能公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/30;H01L31/18 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 严志军;杨楷 |
地址: | 美国科*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及用于衬底上的薄膜层的连续沉积的气相沉积设备和方法,具体而言,提供了用于将升华的源材料在光伏(PV)模块衬底上气相沉积成薄膜的一种设备及相关方法。容器设置在真空头部室内并构造成用于容纳源材料。加热的分配歧管设置在容器下方,并包括通过其中限定的多个通道。容器由该分配歧管间接加热至足以使容器内的源材料升华的程度。钼分配板设置在分配歧管下方,并位于被输送通过该设备的衬底的水平平面上方限定距离处。钼分配板包括通过其中的孔的图案,这些孔进一步将通过分配歧管的升华的源材料分配到下面的衬底的上表面上。该钼分配板包括按重量计大于大约75%的钼。 | ||
搜索关键词: | 用于 衬底 薄膜 连续 沉积 设备 方法 | ||
【主权项】:
一种用于将升华的源材料在光伏(PV)模块衬底(14)上气相沉积成薄膜的设备(100),所述设备包括:沉积头(110);设置在所述沉积头(110)中的容器(116),所述容器(116)构造成用于容纳颗粒状的源材料;设置在所述容器(116)下方的加热的分配歧管(124),所述加热的分配歧管(124)构造成用来将所述容器(116)加热至足以使所述容器(116)内的源材料升华的程度;以及钼沉积板(152),其设置在所述分配歧管(124)的下方,并处在被输送通过所述设备(100)的衬底(14)的上表面的水平输送平面上方限定的距离处,所述钼分配板(152)限定通过其中的通道的图案,所述通道进一步分配通过所述分配歧管(124)的所述升华的源材料,其中所述钼分配板(152)包括按重量计大于大约75%的钼。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的