[发明专利]用于回收碲化镉(CdTe)的系统和方法有效
| 申请号： | 201010616039.8 | 申请日： | 2010-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102180447A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | C·拉思维格 | 申请（专利权）人： | 初星太阳能公司 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 严志军;谭祐祥 |
| 地址： | 美国科*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用于回收碲化镉(CdTe)的系统和方法，具体而言，本发明提供了一种用于回收已镀覆到诸如光伏(PV)模块的制造中所用部件的部件(12)上的碲化镉(CdTe)的系统(30)和相关方法。该系统包括：真空炉(14)，其配置成用于保持真空并加热到对于从置于炉中的部件使CdTe升华开有效的温度。设置收集构件(16，18)，使得在炉中产生的升华的CdTe扩散到收集构件。该收集构件被保持在对于使升华的CdTe镀覆到收集构件上有效的温度下。随后处理该收集构件以收集镀覆的CdTe。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 回收 碲化镉 cdte 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种用于回收已经镀覆到诸如在PV模块的制造中所用部件的部件(12)上的碲化镉(CdTe)的方法，所述方法包括：将所述部件定位在真空炉(14)中；抽吸真空并将所述炉中的温度升高至对于从所述部件上使CdTe升华开有效的水平；将所述炉内的温度和真空条件保持在对于防止升华的CdTe镀覆到所述炉的内部部件上有效的水平；允许在所述炉中产生的所述升华的CdTe扩散到收集构件(16，18)上，所述收集构件(16，18)被保持在对于使所述升华的CdTe镀覆到所述收集构件上有效的温度下；以及从所述收集构件移除镀覆的CdTe。
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